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FPN660

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-226
數(shù)量:
 3537  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FPN660-TO-226圖片

FPN660 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:75MHz
功率 - 最大值:1 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):450mV @ 200mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):60 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:散裝
品牌:onsemi

以上是FPN660的詳細(xì)信息,包括FPN660廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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