色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FP15R06YE3_B4

FP15R06YE3_B4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Module
數量：: 7137
說明：: IGBT 模塊 IGBT 600V 15A

一、本商品被瀏覽0次.

FP15R06YE3_B4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：20 V
封裝形式：Module
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：71.5 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：22 A
集電極—射極飽和電壓：1.55 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：IGBT-Inverter
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是FP15R06YE3_B4的詳細信息，包括FP15R06YE3_B4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器