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中文參數如下：
工廠包裝數量：15
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：7PM-GA-7
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：310 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
在25 C的連續集電極電流：75 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FMG1G75US60H的詳細信息，包括FMG1G75US60H廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
