點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：300mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 5mA，250μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：82 @ 5mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：100 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是FMC6AT148的詳細信息，包括FMC6AT148廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

RN2965FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

RN2904FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

RN1673(TE85L,F)

RN1971FE(TE85L,F)