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中文參數(shù)如下：
：125°C（TJ）
功率耗散（最大值）：540mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：280 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 1A，4V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.2A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Panasonic Electronic Components
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