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FGP10N60UNDF

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數量：: 6251
說明：: IGBT 晶體管 600V 10A NPT IGBT

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FGP10N60UNDF PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：139 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 10 uA
在25 C的連續集電極電流：20 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGP10N60UNDF的詳細信息，包括FGP10N60UNDF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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