色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FGH50T65UPD

FGH50T65UPD

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-247-3
數量：: 8654
說明：: IGBT 晶體管 650 V 100 A 240 W

一、本商品被瀏覽0次.

FGH50T65UPD PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
最大工作溫度：+ 175 C
功率耗散：240 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：100 A
柵極/發射極最大電壓：25 V
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGH50T65UPD的詳細信息，包括FGH50T65UPD廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：