色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 6300
說明：: IGBT 晶體管 N-ch / 50A 1000V

一、本商品被瀏覽0次.

FGA50N100BNTD2 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：156 W
柵極—射極漏泄電流：500 nA
在25 C的連續集電極電流：50 A
柵極/發射極最大電壓：25 V
集電極—射極飽和電壓：1.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA50N100BNTD2的詳細信息，包括FGA50N100BNTD2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

FS150R12PT4BOSA1

FP75R12KT3BOSA1

IFF300B12ME4PB11BPSA1

FP75R12KT4B15BOSA1

FS75R12KT3GBOSA1

FP100R12W3T7B11BPSA1