色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FGA180N33ATDTU

FGA180N33ATDTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3PN-3
數(shù)量：: 6629
說明：: IGBT 晶體管 330V 180A PDP Trench

一、本商品被瀏覽0次.

FGA180N33ATDTU PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：30
安裝風(fēng)格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：180 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN-3
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 30 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：330 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA180N33ATDTU的詳細(xì)信息，包括FGA180N33ATDTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FS150R12PT4BOSA1

FP75R12KT3BOSA1

IFF300B12ME4PB11BPSA1