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FFSM0865A

廠家：: onsemi
封裝：: 4-PQFN（8x8）
數量：: 6957
說明：: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

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FFSM0865A PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：4-PQFN（8x8）
封裝/外殼：4-PowerTSFN
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：463pF @ 1V，100kHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：9.6A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是FFSM0865A的詳細信息，包括FFSM0865A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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