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FFB5551

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: S-Mini
數(shù)量：: 8414
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE

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FFB5551 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：200 mA
封裝形式：S-Mini
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
增益帶寬產(chǎn)品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.2 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FFB5551的詳細信息，包括FFB5551廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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