色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FF200R12KE4HOSA1

FF200R12KE4HOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 5536
說明：: IGBT MOD 1200V 240A 1100W

一、本商品被瀏覽0次.

FF200R12KE4HOSA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：14 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
功率 - 最大值：1100 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：240 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：半橋
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：C
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FF200R12KE4HOSA1的詳細信息，包括FF200R12KE4HOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：