
點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:555 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
集電極—射極飽和電壓:2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Infineon
以上是FF100R12RT4的詳細信息,包括FF100R12RT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!