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FDU3580_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-251
數量：: 7767
說明：: MOSFET 80V N-Ch PowerTrench

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FDU3580_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：34 ns
上升時間：8 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.029 Ohms
漏極連續電流：7.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU3580_Q的詳細信息，包括FDU3580_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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