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FDS8958B

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數量:
 36  
說明:
 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
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FDS8958B-8-SOIC圖片

FDS8958B PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:12 nS, 17 nS
工廠包裝數量:2500
上升時間:2 nS, 6 nS
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:2 nS, 6 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):26 mOhms at N Channel, 51 mOhms at P Channel
漏極連續電流:6.4 A, - 4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V, +/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS8958B的詳細信息,包括FDS8958B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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