色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDS6990A_Q

FDS6990A_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 7488
說(shuō)明：: MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V

一、本商品被瀏覽0次.

FDS6990A_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28 ns
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：33 S
下降時(shí)間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.018 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6990A_Q的詳細(xì)信息，包括FDS6990A_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：