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FDS6679AZ

廠(chǎng)家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 8543  
說(shuō)明:
 MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS6679AZ-8-SOIC(0.154

FDS6679AZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:210 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:15 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:92 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0093 Ohms
漏極連續(xù)電流:13 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS6679AZ的詳細(xì)信息,包括FDS6679AZ廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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