色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDS6673BZ_F085

FDS6673BZ_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8
數量：: 6309
說明：: MOSFET -30V P-Channel PowerTrench

一、本商品被瀏覽0次.

FDS6673BZ_F085 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：225 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：16 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：88 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：60 S
下降時間：105 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.5 mOhms
漏極連續電流：- 14.5 A
閘/源擊穿電壓：25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6673BZ_F085的詳細信息，包括FDS6673BZ_F085廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：