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FDS6162N3

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 6651
說明：: MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

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FDS6162N3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：85 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：25 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：119 S
下降時間：55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.045 Ohms
漏極連續電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6162N3的詳細信息，包括FDS6162N3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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