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FDP18N20F

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 4149
說明：: MOSFET 200V N-Channel

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FDP18N20F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：50 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP18N20F的詳細信息，包括FDP18N20F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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