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FDP047AN08A0-F102

廠家：
  onsemi
封裝：
 TO-220-3
數量：
 7524  
說明：
 
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FDP047AN08A0-F102 PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：310W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：15A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：75 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是FDP047AN08A0-F102的詳細信息，包括FDP047AN08A0-F102廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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