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FDN358P

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 3708  
說明:
 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
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FDN358P-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

FDN358P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FDN358P_NL
典型關(guān)閉延遲時間:12 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:13 ns
功率耗散:0.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.5 S
下降時間:13 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.125 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDN358P的詳細信息,包括FDN358P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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