色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDN335N_NL

FDN335N_NL

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-3
數量：: 6318
說明：: MOSFET N-CH 20V

一、本商品被瀏覽0次.

FDN335N_NL PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：11 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：8.5 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：8.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.07 Ohms
漏極連續電流：1.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN335N_NL的詳細信息，包括FDN335N_NL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：