色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDI045N10A_F102

FDI045N10A_F102

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 4486
說明：: MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm

一、本商品被瀏覽0次.

FDI045N10A_F102 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
功率耗散：263 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.8 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI045N10A_F102的詳細(xì)信息，包括FDI045N10A_F102廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：