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FDG6335N_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SC-70-6
數量：
 5436  
說明：
 MOSFET FDG6335N
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FDG6335N_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：0.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：2.8 S
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.3 Ohms
漏極連續電流：0.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDG6335N_Q的詳細信息，包括FDG6335N_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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