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FDG6316P_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SC-70-6
數(shù)量:
 5373  
說明:
 MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
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FDG6316P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8 ns
上升時(shí)間:13 ns
功率耗散:0.3 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :2.5 S
下降時(shí)間:13 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.27 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 0.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDG6316P_Q的詳細(xì)信息,包括FDG6316P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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