中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：32 ns
上升時間：54 ns
功率耗散：135 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：22 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252AA
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD16AN08A0_Q的詳細(xì)信息，包括FDD16AN08A0_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

NVMFS5C612NLAFT3G

STF11N65M2

IPB80N06S4L07ATMA2

NVTFWS002N04CLTAG

SI7434ADP-T1-RE3

STD3N95K5AG

DMNH4005SCT

IXTY1R4N120P-TRL

IXTY26P10T-TRL

IXTY48P05T-TRL