色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDC633N_F095

FDC633N_F095

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT?-6
數量：: 4977
說明：: MOSFET 30V 5.2A N-CH ENHANCEMENT MODE

一、本商品被瀏覽0次.

FDC633N_F095 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：17 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：42 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：5.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC633N_F095的詳細信息，包括FDC633N_F095廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ

STD5N80K5

IPD055N08NF2SATMA1