色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDC6321C_Q

FDC6321C_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數量：: 4473
說明：: MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH

一、本商品被瀏覽0次.

FDC6321C_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
上升時間：8 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.45 Ohms / 1.1 Ohms
漏極連續電流：0.68 A, - 0.46 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 25 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6321C_Q的詳細信息，包括FDC6321C_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：