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FDC2612_F095

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT?-6
數(shù)量：: 4014
說(shuō)明：: MOSFET 200V 1.1A N-CH POWERTRENCH

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FDC2612_F095 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：17 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：6 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：725 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC2612_F095的詳細(xì)信息，包括FDC2612_F095廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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