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FDB2670

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 3078  
說明：
 MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench
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FDB2670-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

FDB2670 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FDB2670_NL
典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：5 ns
功率耗散：93 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：24 S
下降時間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms at 10 V
漏極連續電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB2670的詳細信息，包括FDB2670廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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