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FDB12N50UTM_WS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 2826  
說(shuō)明:
 MOSFET 500V 10A 0.8Ohm N-Channel
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FDB12N50UTM_WS-D2PAK(TO-263)圖片

FDB12N50UTM_WS PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:45 ns
功率耗散:165 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:35 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.55 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB12N50UTM_WS的詳細(xì)信息,包括FDB12N50UTM_WS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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