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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:105 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:120 ns
功率耗散:312.5 W
柵極電荷 Qg:139 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :28.8 S
下降時間:73 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):79 mOhms
漏極連續電流:35 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FCH35N60的詳細信息,包括FCH35N60廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!