點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：119 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：98 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：56 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCB11N60TM的詳細(xì)信息，包括FCB11N60TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

STD45P4LLF6AG

STL90N6F7

NTMFS6H824NT1G

STD4LN80K5

SIJ494DP-T1-GE3

IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

IPD70P04P4L08ATMA2