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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:20mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8800pF @ 800V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):297nC @ 18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 40mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):12 毫歐 @ 100A,18V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):85A(Tj)
漏源電壓(Vdss):1200V
FET 功能:-
配置:2 個 N 通道(半橋)
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:EasyPACK?
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies
以上是F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1的詳細信息,包括F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!