色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > EMH61T2R

EMH61T2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: EMT6
數(shù)量：: 5818
說(shuō)明：: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

一、本商品被瀏覽0次.

EMH61T2R PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：150mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：150mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：10 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：10 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50mA
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是EMH61T2R的詳細(xì)信息，包括EMH61T2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：