色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > DTB513ZMT2L

DTB513ZMT2L

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: VMT3
數(shù)量：: 8753
說明：: TRAN DIGITAL PNP 12V 500MA VMT3

一、本商品被瀏覽0次.

DTB513ZMT2L PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：12V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：1K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）：10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：140 @ 100mA, 2V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 5mA, 100mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換：260MHz
功率 - 最大：150mW
安裝類型：表面貼裝

以上是DTB513ZMT2L的詳細信息，包括DTB513ZMT2L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：