色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > DNBT8105-7

DNBT8105-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-23
數量：: 11206
說明：: 兩極晶體管 - BJT 1A

一、本商品被瀏覽0次.

DNBT8105-7 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：300 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT：150 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是DNBT8105-7的詳細信息，包括DNBT8105-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：