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DMTH61M8LPSQ-13

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: PowerDI5060-8（K 類）
數(shù)量：: 1836
說明：: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

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DMTH61M8LPSQ-13 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），187.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8320 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：115.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.6 毫歐 @ 30A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：225A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMTH61M8LPSQ-13的詳細信息，包括DMTH61M8LPSQ-13廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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