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DMT30M9LPS-13

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: PowerDI5060-8（K 類）
數量：: 1935
說明：: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506

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DMT30M9LPS-13 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.6W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12121 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：160.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1 毫歐@ 25A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMT30M9LPS-13的詳細信息，包括DMT30M9LPS-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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