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DMN63D8LV-7

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 SOT-563
數(shù)量:
 148845  
說明:
 MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
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DMN63D8LV-7-SOT-563圖片

DMN63D8LV-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:12 ns
上升時間:3.2 ns
功率耗散:450 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.87 nC
下降時間:6.3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-563
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:260 mA
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN63D8LV-7的詳細(xì)信息,包括DMN63D8LV-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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