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DMN3030LFG-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: PowerDI3333-8
數量：: 7272
說明：: MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS

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DMN3030LFG-7 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
上升時間：6.6 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：17.4 nC
下降時間：6.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerDI3333-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：27 mOhms
漏極連續電流：5.3 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN3030LFG-7的詳細信息，包括DMN3030LFG-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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