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DMN26D0UFB4-7

廠家：
  Diodes Inc.
封裝：
 3-XFDFN
數量：
 33838  
說明：
 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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DMN26D0UFB4-7-3-XFDFN圖片

DMN26D0UFB4-7 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 ns
功率耗散：350 mW
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：0.242 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DFN1006
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.8 Ohms
漏極連續電流：230 mA
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN26D0UFB4-7的詳細信息，包括DMN26D0UFB4-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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