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DMHC3025LSD-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-SO
數量：: 83748
說明：: MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS

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DMHC3025LSD-13 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17.5 ns, 28.2 ns
上升時間：15 ns, 4.9 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.4 nC, 5.5 nC
下降時間：8.7 ns, 13.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms, 50 mOhms
漏極連續電流：6 A, - 4.2 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V, - 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMHC3025LSD-13的詳細信息，包括DMHC3025LSD-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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