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DMG4800LSD-13

廠家：
  Diodes Inc.
封裝：
 8-SO
數量：
 32017  
說明：
 MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
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DMG4800LSD-13-8-SO圖片

DMG4800LSD-13 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26.33 ns
上升時間：4.5 ns
功率耗散：1.17 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8.55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：16 mOhms at 10 V, 22 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：7.5 A, 6.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG4800LSD-13的詳細信息，包括DMG4800LSD-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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