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DMG4406LSS-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-SO
數量：: 5130
說明：: MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS

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DMG4406LSS-13 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22.3 ns
上升時間：21.2 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12.5 nC
下降時間：5.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：12 mOhms at 10 A, 4.5 V
漏極連續電流：9.3 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG4406LSS-13的詳細信息，包括DMG4406LSS-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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