DG636EN-T1-E4
- 廠家:
-
Vishay
- 封裝:
- 16-迷你型QFN(1.8x2.6)
- 數(shù)量:
- 3852
- 說(shuō)明:
- 模擬開(kāi)關(guān) IC Dual SPDT Switches
DG636EN-T1-E4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
零件號(hào)別名:DG636EN-E4
開(kāi)關(guān)電流(最大值):0.000001 mA, - 0.000001 mA
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:12 V
電源電流(最大值):0.0005 mA, - 0.0005 mA
電源電流:+/- 0.000001 mA at +/- 5 V
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 40 C
最大功率耗散:525 mW
封裝形式:miniQFN
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
工作電源電壓:3 V, 5 V
關(guān)閉時(shí)間(最大值):76 ns
開(kāi)啟時(shí)間(最大值):108 ns
開(kāi)啟電阻(最大值):245 Ohms
開(kāi)關(guān)配置:SPDT
開(kāi)關(guān)數(shù)量:2
RoHS:是
產(chǎn)品種類:模擬開(kāi)關(guān) IC
制造商:Vishay
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