DD1000S33HE3BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-IHVB130-3
數(shù)量：: 7362
說明：: MODULE DIODE HVB130-3

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DD1000S33HE3BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：AG-IHVB130-3
封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度 - 結(jié)：-40°C ~ 150°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1000 A @ 1800 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：3.85 V @ 1000 A
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：1000A（DC）
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3300 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
二極管配置：2 個獨(dú)立式
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

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