CY7C1512TV18-250BZC

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 165-FBGA（13x15）
數(shù)量：: 18
說(shuō)明：: IC SRAM 4MX18 QDRII 165-FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

CY7C1512TV18-250BZC PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：165-FBGA（13x15）
封裝/外殼：165-LBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.9V
訪問(wèn)時(shí)間：-
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：-
時(shí)鐘頻率：250 MHz
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
存儲(chǔ)器組織：4M x 18
存儲(chǔ)容量：72Mb
技術(shù)：SRAM - 同步，QDR II
存儲(chǔ)器格式：SRAM
存儲(chǔ)器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：袋
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1512TV18-250BZC的詳細(xì)信息，包括CY7C1512TV18-250BZC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器最新產(chǎn)品：

W25Q128JWBIM TR

W25Q128JWBIM

W25Q128JWEIM

SST26VF032BT-80E/SM70SVAO

SST25PF040CT-40E/NP18GVAO

USBF4100T-V/NPVAO

MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U TR

MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR

MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U

MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U

相近型號(hào)推薦

CY7C1512TV18-250BZI
IC SRAM 4MX18 QDRII 165-FBGA

CY7C1512TV18-250BZXC
IC SRAM 4MX18 QDRII 165-FBGA

CY7C1512UV18-267BZI
IC SRAM 4MX18 QDRII 165-FBGA

CY7C1512V18-167BZC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM

CY7C1512V18-167BZX1

CY7C1512V18-167BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM

CY7C1512V18-167BZXI
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND

CY7C1512V18-200BZC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM

CY7C1512V18-200BZI
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND

CY7C1512V18-200BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM

CY7C1512V18-200BZXI
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

CY7C1512V18-250BZC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM

色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

CY7C1512TV18-250BZC

CY7C1512TV18-250BZC PDF參數(shù)資料

相近型號(hào)推薦