色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<noscript id="ae6kc"></noscript>

<delect id="ae6kc"></delect>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > CY62256LL-70SNXIT

CY62256LL-70SNXIT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 28-SOIC
數(shù)量：: 2025
說明：

一、本商品被瀏覽0次.

CY62256LL-70SNXIT PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
封裝：28-SOIC
封裝/外殼：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V
訪問時(shí)間：70 ns
寫周期時(shí)間 - 字，頁：70ns
時(shí)鐘頻率：-
存儲器接口：并聯(lián)
存儲器組織：32K x 8
存儲容量：256Kb
技術(shù)：SRAM - 異步
存儲器格式：SRAM
存儲器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：MoBL?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是CY62256LL-70SNXIT的詳細(xì)信息，包括CY62256LL-70SNXIT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111

MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110

MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR

MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR